بررسی خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی cosb3 و ترکیبات وابسته به آن

نتیجه گیری در این پروژه، در زمینه ی نظری، خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی cosb3و mco4sb12 (m=la, tl, y) مطالعه شده است. قرار دادن اتم های y ، la و tl در تهیجاهای شبکه ای آنتیموان کبالت باعث گسترش شبکه بلوری این ترکیب می شود. که افزایش پارامترهای شبکه، خواص الکترونیکی را به شدت تغییر می دهد. رفتار پیوندها در این ترکیب مربوط به دو نوع پیوند متفاوت در آن است، که یکی مربوط به پیوند قوی بین اوربیتال d کبالت و اوربیتال p آنتیموان و دیگری مربوط به پیوند ضعیف بین اوربیتال های p اتم های آنتیموان است. با توجه به مدول حجمی این ترکیبات، ساختار مربوط به laco4sb12 ناپایدارتر از ترکیبات دیگر است. ساختار نواری محاسبه شده نشان می دهد که ته نوار رسانش آنتیموان کبالت از اوربیتال های sb-5p به شدت پاشنده و بالای نوار ظرفیت از اوربیتال های co-3d تشکیل شده است. گاف نواری آنتیموان کبالت کوچک (ev 0.036) و به شدت به جایگاه های اتمی sb وابسته است. گاف نواری mco4sb12، در مقایسه با آنتیموان کبالت افزایش می یابد. ثابت دی الکتریک محاسبه شده در فرکانس پایین برای آنتیموان کبالت 33/34 محاسبه شده است. اولین بیشینه منحنی قسمت موهومی تابع دی الکتریک در انرژی ev e0= 0.04 قرار دارد که مربوط به گذارهای بین نواری از نوار ظرفیت به نوار رسانش در نقطه ? است. انرژی پلاسمون بدست آمده آنتیموان کبالت ev 17.68 می باشد. ضریب شکست آنتیموان کبالت در انرژی ev 1.18، برابر 7 است. خواص ترموالکتریکی cosb3و mco4sb12 را در دمای k 700 بدست آورده ایم. در پتانسیل های مثبت هدایت الکتریکی و فاکتور توان tlco4sb12 نسبت به بقیه ترکیبات بیشتر است.